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FES8CT-5400HE3/45

FES8CT-5400HE3/45

참조 용

부품 번호 FES8CT-5400HE3/45
PNEDA 부품 번호 FES8CT-5400HE3-45
설명 DIODE ARRAY GP TO220AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,262
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FES8CT-5400HE3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FES8CT-5400HE3/45
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
FES8CT-5400HE3/45, FES8CT-5400HE3/45 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 130.37 KB)
PDFFES8CT-5400HE3/45 데이터 시트 표지
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  • FES8CT-5400HE3/45 Distributor

FES8CT-5400HE3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F85pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220AC
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-50WQ06FNTRHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

5.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

360pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

RGP10M-7008M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

DSA1-16D

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제조업체

IXYS

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

2.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.34V @ 7A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

700µA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Radial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

1N5834

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

590mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

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DO-5

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