FESB8BT-E3/45
참조 용
| 부품 번호 | FESB8BT-E3/45 |
| PNEDA 부품 번호 | FESB8BT-E3-45 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,742 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FESB8BT-E3/45 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FESB8BT-E3/45 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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FESB8BT-E3/45 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 8A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 950mV @ 8A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 35ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | TO-263AB |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.8µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.85V @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 145ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지 ITO-220AC 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 525mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 2mA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -65°C ~ 125°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AA, DO-27, Axial 공급자 장치 패키지 GP20 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 390mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
