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FESE16HT-E3/45

FESE16HT-E3/45

참조 용

부품 번호 FESE16HT-E3/45
PNEDA 부품 번호 FESE16HT-E3-45
설명 DIODE GEN PURP 500V 16A TO220AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,164
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 31 - 2월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FESE16HT-E3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FESE16HT-E3/45
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • FESE16HT-E3/45 Distributor

FESE16HT-E3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)500V
전류-평균 정류 (Io)16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 16A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 500V
커패시턴스 @ Vr, F145pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220AC
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 125A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

9mA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 190°C

SJPB-H6VL

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

690mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, J-Lead

공급자 장치 패키지

SJP

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

VS-10WQ045FNTRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

760pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

CDBDSC8650-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

25.5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 8A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

550pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

BYS12-90HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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DO-214AC (SMA)

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