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FESE16JT-E3/45

FESE16JT-E3/45

참조 용

부품 번호 FESE16JT-E3/45
PNEDA 부품 번호 FESE16JT-E3-45
설명 DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FESE16JT-E3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FESE16JT-E3/45
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • FESE16JT-E3/45 Distributor

FESE16JT-E3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 16A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F145pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220AC
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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Micro Commercial Co

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

120pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

1N4007E-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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HSM880GE3/TR13

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시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

780mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AB, SMC Gull Wing

공급자 장치 패키지

DO-215AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VS-95PFR140

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1400V

전류-평균 정류 (Io)

95A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 267A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB (DO-5)

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RGF1KHE3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

8.5pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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