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FF150R12KS4HOSA1

FF150R12KS4HOSA1

참조 용

부품 번호 FF150R12KS4HOSA1
PNEDA 부품 번호 FF150R12KS4HOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 150A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 13 - 3월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF150R12KS4HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF150R12KS4HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF150R12KS4HOSA1, FF150R12KS4HOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 622.39 KB)
PDFFF150R12KS4HOSA1 데이터 시트 표지
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FF150R12KS4HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)225A
전력-최대1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce11nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

205A

전력-최대

835W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGLQ80HR120CT3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 80A

전류-수집기 차단 (최대)

150µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FF600R12ME4B72BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전력-최대

416W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 120A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ISOPLUS227™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS227™

APTGF150DU120TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

961W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

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