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FF200R06KE3HOSA1

FF200R06KE3HOSA1

참조 용

부품 번호 FF200R06KE3HOSA1
PNEDA 부품 번호 FF200R06KE3HOSA1
설명 IGBT MODULE 600V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $1,107.7586
50 ---------- $1,055.8324
100 ---------- $1,003.9062
200 ---------- $951.9800
400 ---------- $908.7082
500 ---------- $865.4364
재고 있음 2,957
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예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF200R06KE3HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF200R06KE3HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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FF200R06KE3HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈C
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)260A
전력-최대680W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTGT150DA170D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

280A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

VS-GB100LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

658W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-Pak

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전력-최대

700W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

6mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y4-M5

공급자 장치 패키지

Y4-M5

2LS20017E42W40403NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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