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FF200R17KE3S4HOSA1

FF200R17KE3S4HOSA1

참조 용

부품 번호 FF200R17KE3S4HOSA1
PNEDA 부품 번호 FF200R17KE3S4HOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,354
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 24 - 4월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF200R17KE3S4HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF200R17KE3S4HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF200R17KE3S4HOSA1, FF200R17KE3S4HOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 662.14 KB)
PDFFF200R17KE3S4HOSA1 데이터 시트 표지
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  • FF200R17KE3S4HOSA1 Distributor

FF200R17KE3S4HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전력-최대

63W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 9A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E1

공급자 장치 패키지

E1

APTGT150DA60T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

225A

전력-최대

480W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

VS-CPV362M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.2A

전력-최대

23W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 3.9A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.53nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

APT60GF60JU2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

93A

전력-최대

378W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

전류-수집기 차단 (최대)

80µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.59nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ISOTOP

공급자 장치 패키지

SOT-227

FF50R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

285W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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