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FF225R17ME4BOSA1

FF225R17ME4BOSA1

참조 용

부품 번호 FF225R17ME4BOSA1
PNEDA 부품 번호 FF225R17ME4BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 225A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,282
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 24 - 4월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF225R17ME4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF225R17ME4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF225R17ME4BOSA1, FF225R17ME4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 603.64 KB)
PDFFF225R17ME4BOSA1 데이터 시트 표지
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  • FF225R17ME4BOSA1 Distributor

FF225R17ME4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)340A
전력-최대1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대)3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce18.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

890pF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

270A

전력-최대

1130W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

10mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y3-DCB

공급자 장치 패키지

Y3-DCB

FF400R07KE4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

280A

전력-최대

1100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

3.3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

Y3-Li

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