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FF300R07ME4B11BOSA1

FF300R07ME4B11BOSA1

참조 용

부품 번호 FF300R07ME4B11BOSA1
PNEDA 부품 번호 FF300R07ME4B11BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 300A
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $1,668.6132
50 ---------- $1,590.3970
100 ---------- $1,512.1808
200 ---------- $1,433.9645
400 ---------- $1,368.7843
500 ---------- $1,303.6041
재고 있음 3,746
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FF300R07ME4B11BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF300R07ME4B11BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF300R07ME4B11BOSA1, FF300R07ME4B11BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 711.24 KB)
PDFFF300R07ME4B11BOSA1 데이터 시트 표지
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FF300R07ME4B11BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)390A
전력-최대1100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce18.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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시리즈

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IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

300W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

FF300R12KE3B2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

440A

전력-최대

1450W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF50R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

285W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT300SK170D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

530A

전력-최대

1470W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

8mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

APTGT50DDA120T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Dual Boost Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

270W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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