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FF300R12KT3EHOSA1

FF300R12KT3EHOSA1

참조 용

부품 번호 FF300R12KT3EHOSA1
PNEDA 부품 번호 FF300R12KT3EHOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 300A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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FF300R12KT3EHOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF300R12KT3EHOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF300R12KT3EHOSA1, FF300R12KT3EHOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 415.8 KB)
PDFFF300R12KT3EHOSA1 데이터 시트 표지
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  • FF300R12KT3EHOSA1 Distributor

FF300R12KT3EHOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)480A
전력-최대1450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce21nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

105A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1.4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT25A120D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

140W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

2ED300C17SROHSBPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-25°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRDM983-025MBTR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTGT30A170D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전력-최대

210W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

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