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FF45MR12W1M1B11BOMA1

FF45MR12W1M1B11BOMA1

참조 용

부품 번호 FF45MR12W1M1B11BOMA1
PNEDA 부품 번호 FF45MR12W1M1B11BOMA1
설명 MOSFET MODULE 1200V 50A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,632
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF45MR12W1M1B11BOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF45MR12W1M1B11BOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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FF45MR12W1M1B11BOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)25A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (최대) @ Id5.55V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs62nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1840pF @ 800V
전력-최대20mW (Tc)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지AG-EASY1BM-2

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21.3pF @ 10V

전력-최대

380mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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STMicroelectronics

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STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1340pF @ 25V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

FASTIRFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

86A, 303A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1735pF @ 13V

전력-최대

156W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-PowerWFQFN

공급자 장치 패키지

32-PQFN (6x6)

FDS6890A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2130pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMN2041LSD-13

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 10V

전력-최대

1.16W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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