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FF600R12ME4AB11BOSA1

FF600R12ME4AB11BOSA1

참조 용

부품 번호 FF600R12ME4AB11BOSA1
PNEDA 부품 번호 FF600R12ME4AB11BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 600A
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $4,206.3585
50 ---------- $4,009.1855
100 ---------- $3,812.0124
200 ---------- $3,614.8394
400 ---------- $3,450.5285
500 ---------- $3,286.2176
재고 있음 5,877
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FF600R12ME4AB11BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF600R12ME4AB11BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF600R12ME4AB11BOSA1, FF600R12ME4AB11BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 643.24 KB)
PDFFF600R12ME4AB11BOSA1 데이터 시트 표지
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FF600R12ME4AB11BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대3350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대)3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce37nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

445W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 60A

전류-수집기 차단 (최대)

800µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

FMS6G10US60

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전력-최대

66W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.71nF @ 30V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

25PM-AA

공급자 장치 패키지

25PM-AA

APTGT100DH60T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Asymmetrical Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

340W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

APTGL90A120T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

385W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

FP25R12W2T4B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

39A

전력-최대

175W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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