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FF600R12ME4BOSA1

FF600R12ME4BOSA1

참조 용

부품 번호 FF600R12ME4BOSA1
PNEDA 부품 번호 FF600R12ME4BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 600A
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF600R12ME4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF600R12ME4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FF600R12ME4BOSA1, FF600R12ME4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 600.17 KB)
PDFFF600R12ME4BOSA1 데이터 시트 표지
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FF600R12ME4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대4050W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대)3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce37nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

NPT

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

1100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

20nA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

446W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.29nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

FF600R12KE3NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTGT300DA170D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

530A

전력-최대

1470W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

8mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 120A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

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