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FF900R12IE4VPBOSA1

FF900R12IE4VPBOSA1

참조 용

부품 번호 FF900R12IE4VPBOSA1
PNEDA 부품 번호 FF900R12IE4VPBOSA1
설명 MODULE IGBT PRIME2-1
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FF900R12IE4VPBOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF900R12IE4VPBOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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FF900R12IE4VPBOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈PrimePack™2
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)900A
전력-최대20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce54nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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65W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 9A

전류-수집기 차단 (최대)

150µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

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Standard

NTC 서미스터

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

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Standard

NTC 서미스터

Yes

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

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Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

340W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

16nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

93A

전력-최대

294W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

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1.4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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Yes

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