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FGA15N120ANDTU

FGA15N120ANDTU

참조 용

부품 번호 FGA15N120ANDTU
PNEDA 부품 번호 FGA15N120ANDTU
설명 IGBT 1200V 24A 200W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,330
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA15N120ANDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA15N120ANDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA15N120ANDTU, FGA15N120ANDTU 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 597.98 KB)
PDFFGA15N120ANDTU 데이터 시트 표지
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FGA15N120ANDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)24A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 15A
전력-최대200W
에너지 전환3.27mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C90ns/310ns
테스트 조건600V, 15A, 20Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)330ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

관심을 가질만한 제품

AOD7B65M3

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 7A

전력-최대

69W

에너지 전환

108µJ (on), 99µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

14nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/79ns

테스트 조건

400V, 7A, 43Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

212ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

NGB18N40ACLBT4G

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

전력-최대

115W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

AFGHL40T65SPD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

267W

에너지 전환

1.16MJ (on), 270µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

36nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/35ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IXGT10N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

70A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 10A

전력-최대

110W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IRG4BC30S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

68A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

전력-최대

100W

에너지 전환

260µJ (on), 3.45mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/540ns

테스트 조건

480V, 18A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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CMDSH-3TR

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DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD323

TPSE226K035R0200

TPSE226K035R0200

CAP TANT 22UF 10% 35V 2917

IS61WV102416BLL-10TLI

IS61WV102416BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

ATTINY816-MN

ATTINY816-MN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20QFN

CY62126EV30LL-45ZSXI

CY62126EV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

ISL6422BERZ-T

ISL6422BERZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV SATELLIT 2OUT 40QFN

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

ATF-54143-TR1G

ATF-54143-TR1G

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FET RF 5V 2GHZ SOT-343