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FGA15N120FTDTU

FGA15N120FTDTU

참조 용

부품 번호 FGA15N120FTDTU
PNEDA 부품 번호 FGA15N120FTDTU
설명 IGBT 1200V 30A 220W TO3PN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,202
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA15N120FTDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA15N120FTDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA15N120FTDTU, FGA15N120FTDTU 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 242.15 KB)
PDFFGA15N120FTDTU 데이터 시트 표지
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FGA15N120FTDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 15A
전력-최대220W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)575ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

52A

전류-수집기 펄스 (Icm)

104A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

전력-최대

297W

에너지 전환

2.8mJ (on), 2.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/210ns

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

RGT8NL65DGTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

전력-최대

65W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/69ns

테스트 조건

400V, 4A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

LPDS

APT54GA60BD30

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

96A

전류-수집기 펄스 (Icm)

161A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

전력-최대

416W

에너지 전환

534µJ (on), 466µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/112ns

테스트 조건

400V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IXDP35N60B

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

70A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 35A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.6mJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

300V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRG4IBC30WPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

45W

에너지 전환

130µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/99ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

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