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FGA20N120FTDTU

FGA20N120FTDTU

참조 용

부품 번호 FGA20N120FTDTU
PNEDA 부품 번호 FGA20N120FTDTU
설명 IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 24,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA20N120FTDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA20N120FTDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA20N120FTDTU, FGA20N120FTDTU 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 414.52 KB)
PDFFGA20N120FTDTU 데이터 시트 표지
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FGA20N120FTDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A
전력-최대298W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지137nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)447ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

385W

에너지 전환

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

157nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/229ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

153ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

FGB40N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

115µJ (on), 195µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/35ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

STGD8NC60KDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

전력-최대

62W

에너지 전환

55µJ (on), 85µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/72ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

23.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

NGTB15N120IHRWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

전력-최대

333W

에너지 전환

340µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

160nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/170ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

APT68GA60B2D40

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

121A

전류-수집기 펄스 (Icm)

202A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

520W

에너지 전환

715µJ (on), 607µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

198nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/133ns

테스트 조건

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

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