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FGA20S125P

FGA20S125P

참조 용

부품 번호 FGA20S125P
PNEDA 부품 번호 FGA20S125P
설명 IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,680
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 21 - 3월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA20S125P 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA20S125P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA20S125P, FGA20S125P 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,247.75 KB)
PDFFGA20S125P 데이터 시트 표지
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FGA20S125P 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1250V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
전력-최대250W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지129nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

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제조업체

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.02mJ (on), 410µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/138ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

339ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGD6NC60H-1

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

전력-최대

62.5W

에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/76ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

IXSH45N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 45A

전력-최대

300W

에너지 전환

21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

80ns/400ns

테스트 조건

960V, 45A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXSH)

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

145A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 30A

전력-최대

500W

에너지 전환

2.6mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

69nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/130ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

NGTD13T65F2SWK

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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VS-30BQ060TRPBF

VS-30BQ060TRPBF

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