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FGA30N120FTDTU

FGA30N120FTDTU

참조 용

부품 번호 FGA30N120FTDTU
PNEDA 부품 번호 FGA30N120FTDTU
설명 IGBT 1200V 60A 339W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,252
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA30N120FTDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA30N120FTDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA30N120FTDTU, FGA30N120FTDTU 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 528.68 KB)
PDFFGA30N120FTDTU 데이터 시트 표지
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FGA30N120FTDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
전력-최대339W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지208nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)730ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 10A

전력-최대

115W

에너지 전환

83µJ (on), 140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

57nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19.5ns/103ns

테스트 조건

400V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

107ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

IXGT32N60C

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

전력-최대

200W

에너지 전환

320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/85ns

테스트 조건

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

FGH60T65SHD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 60A

전력-최대

349W

에너지 전환

1.69mJ (on), 630µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/87ns

테스트 조건

400V, 60A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34.6ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

RJP65T54DPM-E0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.68V @ 15V, 30A

전력-최대

63.5W

에너지 전환

330µJ (on), 760µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/120ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PF

IRG4PH50UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 24A

전력-최대

200W

에너지 전환

530µJ (on), 1.41mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

160nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/200ns

테스트 조건

960V, 24A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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