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FGA50N100BNTDTU

FGA50N100BNTDTU

참조 용

부품 번호 FGA50N100BNTDTU
PNEDA 부품 번호 FGA50N100BNTDTU
설명 IGBT 1000V 50A 156W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $41.7600
100 ---------- $39.8025
250 ---------- $37.8450
500 ---------- $35.8875
750 ---------- $34.2563
1,000 ---------- $32.6250
재고 있음 1,240
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FGA50N100BNTDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA50N100BNTDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA50N100BNTDTU, FGA50N100BNTDTU 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 348.24 KB)
PDFFGA50N100BNTDTU 데이터 시트 표지
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FGA50N100BNTDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT and Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1000V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 60A
전력-최대156W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지275nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)1.5µs
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

62A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

전력-최대

188W

에너지 전환

560µJ (on), 320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/124ns

테스트 조건

400V, 30A, 13Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

75ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

SGW30N60FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

112A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.29mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/291ns

테스트 조건

400V, 30A, 11Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

STGWA25M120DF3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

전력-최대

375W

에너지 전환

850µJ (on), 1.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

85nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/150ns

테스트 조건

600V, 25A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

265ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

전력-최대

1700W

에너지 전환

2.7mJ (on), 3.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

585nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/250ns

테스트 조건

480V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

HGTG30N60A4D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

전력-최대

463W

에너지 전환

280µJ (on), 240µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/150ns

테스트 조건

390V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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SSM3K15AFS,LF

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NL453232T-102J-PF

NL453232T-102J-PF

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FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD

403C35E12M00000

403C35E12M00000

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