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FGA6065ADF

FGA6065ADF

참조 용

부품 번호 FGA6065ADF
PNEDA 부품 번호 FGA6065ADF
설명 IGBT 650V 120A 306W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,668
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA6065ADF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA6065ADF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA6065ADF, FGA6065ADF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 511.51 KB)
PDFFGA6065ADF 데이터 시트 표지
FGA6065ADF 데이터 시트 페이지 2 FGA6065ADF 데이터 시트 페이지 3 FGA6065ADF 데이터 시트 페이지 4 FGA6065ADF 데이터 시트 페이지 5 FGA6065ADF 데이터 시트 페이지 6 FGA6065ADF 데이터 시트 페이지 7 FGA6065ADF 데이터 시트 페이지 8 FGA6065ADF 데이터 시트 페이지 9 FGA6065ADF 데이터 시트 페이지 10

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FGA6065ADF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 60A
전력-최대306W
에너지 전환2.46mJ (on), 520µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25.6ns/71ns
테스트 조건400V, 60A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)110ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

278W

에너지 전환

1.55mJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

45nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/74ns

테스트 조건

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

127ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IKD04N60RF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

전력-최대

75W

에너지 전환

110µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/116ns

테스트 조건

400V, 4A, 43Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

64ns/180ns

테스트 조건

1250V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.4µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

FGH80N60FDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

290W

에너지 전환

1mJ (on), 520µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/126ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

36ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IXBT42N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

전력-최대

360W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

188nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.32µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

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