FGA60N65SMD
참조 용
| 부품 번호 | FGA60N65SMD |
| PNEDA 부품 번호 | FGA60N65SMD |
| 설명 | IGBT 650V 120A 600W TO3P |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 15,276 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FGA60N65SMD 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FGA60N65SMD |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
| 데이터 시트 |
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FGA60N65SMD 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | Field Stop |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 650V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 120A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 180A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
| 전력-최대 | 600W |
| 에너지 전환 | 1.54mJ (on), 450µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 189nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 18ns/104ns |
| 테스트 조건 | 400V, 60A, 3Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | 47ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-3P |
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제조업체 IXYS 시리즈 GenX3™, XPT™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 200A 전류-수집기 펄스 (Icm) 380A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 82A 전력-최대 1250W 에너지 전환 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 215nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 29ns/192ns 테스트 조건 600V, 80A, 2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 (IXYH) |
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