FGA6560WDF
참조 용
| 부품 번호 | FGA6560WDF |
| PNEDA 부품 번호 | FGA6560WDF |
| 설명 | IGBT 650V 120A 306W TO-3PN |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,886 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FGA6560WDF 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FGA6560WDF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
| 데이터 시트 |
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FGA6560WDF 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | Trench Field Stop |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 650V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 120A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 180A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| 전력-최대 | 306W |
| 에너지 전환 | 2.46mJ (on), 520µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 84nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 25.6ns/71ns |
| 테스트 조건 | 400V, 60A, 6Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | 110ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-3PN |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 40A 전류-수집기 펄스 (Icm) 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A 전력-최대 310W 에너지 전환 4.8mJ (on), 1mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 200nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 60ns/170ns 테스트 조건 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 350ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지 TO-3P |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFAST™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 75A 전류-수집기 펄스 (Icm) 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A 전력-최대 200W 에너지 전환 380µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 138nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 18ns/115ns 테스트 조건 480V, 40A, 2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUS247™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUS247™ |
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