FGA70N33BTDTU
참조 용
| 부품 번호 | FGA70N33BTDTU |
| PNEDA 부품 번호 | FGA70N33BTDTU |
| 설명 | IGBT 330V 149W TO3P |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,704 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FGA70N33BTDTU 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FGA70N33BTDTU |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
| 데이터 시트 |
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FGA70N33BTDTU 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | Trench |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 330V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 220A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 70A |
| 전력-최대 | 149W |
| 에너지 전환 | - |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 49nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | - |
| 테스트 조건 | - |
| 역 복구 시간 (trr) | 23ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-3P |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - IGBT 유형 Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 90A 전류-수집기 펄스 (Icm) - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 50A 전력-최대 328.9W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 63ns/142ns 테스트 조건 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 90ns 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247A |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 8™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 121A 전류-수집기 펄스 (Icm) 202A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A 전력-최대 520W 에너지 전환 715µJ (on), 607µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 298nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 21ns/133ns 테스트 조건 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 [B] |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFAST™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 75A 전류-수집기 펄스 (Icm) 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A 전력-최대 300W 에너지 전환 3mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 160nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 50ns/150ns 테스트 조건 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지 TO-268 |
