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FGB20N6S2D

FGB20N6S2D

참조 용

부품 번호 FGB20N6S2D
PNEDA 부품 번호 FGB20N6S2D
설명 IGBT 600V 28A 125W TO263AB
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 3,510
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGB20N6S2D 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGB20N6S2D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGB20N6S2D, FGB20N6S2D 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 226.34 KB)
PDFFGP20N6S2D 데이터 시트 표지
FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 2 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 3 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 4 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 5 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 6 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 7 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 8 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 9

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  • FGB20N6S2D Distributor

FGB20N6S2D 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)28A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 7A
전력-최대125W
에너지 전환25µJ (on), 58µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C7.7ns/87ns
테스트 조건390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)31ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

840µJ (on), 7.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

83nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

92ns/1.1µs

테스트 조건

480V, 20A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

210µJ (on), 380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/192ns

테스트 조건

400V, 10A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 12A

전력-최대

63W

에너지 전환

150mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/70ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

110ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS220™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS220™

FGA180N30DTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

180A

전류-수집기 펄스 (Icm)

450A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 40A

전력-최대

480W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

FGB40N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

115µJ (on), 195µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/35ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

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