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FGB3040CS

FGB3040CS

참조 용

부품 번호 FGB3040CS
PNEDA 부품 번호 FGB3040CS
설명 IGBT 430V 21A 150W TO263-6
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGB3040CS 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGB3040CS
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGB3040CS, FGB3040CS 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 827.48 KB)
PDFFGB3040CS 데이터 시트 표지
FGB3040CS 데이터 시트 페이지 2 FGB3040CS 데이터 시트 페이지 3 FGB3040CS 데이터 시트 페이지 4 FGB3040CS 데이터 시트 페이지 5 FGB3040CS 데이터 시트 페이지 6 FGB3040CS 데이터 시트 페이지 7 FGB3040CS 데이터 시트 페이지 8 FGB3040CS 데이터 시트 페이지 9

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FGB3040CS 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈EcoSPARK®
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)430V
전류-수집기 (Ic) (최대)21A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.6V @ 4V, 6A
전력-최대150W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지15nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/4.7µs
테스트 조건300V, 1kOhm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
공급자 장치 패키지TO-263-6

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

88A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

전력-최대

230W

에너지 전환

1.3mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/90ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

29ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268HV

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전류-수집기 펄스 (Icm)

265A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 21A

전력-최대

357W

에너지 전환

3.43mJ (on), 430µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

188nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/200ns

테스트 조건

850V, 21A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

330ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

IRGBC30U

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGB20NC60VT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

220µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/100ns

테스트 조건

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 15A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

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