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FGB3040G2-F085C

FGB3040G2-F085C

참조 용

부품 번호 FGB3040G2-F085C
PNEDA 부품 번호 FGB3040G2-F085C
설명 ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGB3040G2-F085C 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGB3040G2-F085C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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FGB3040G2-F085C 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
전류-수집기 (Ic) (최대)41A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.25V @ 4V, 6A
전력-최대150W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지21nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C900ns/4.8µs
테스트 조건5V, 470Ohm
역 복구 시간 (trr)1.9µs
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D²PAK-3 (TO-263-3)

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제조업체

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

9A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

250µJ (on), 140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

49ns/97ns

테스트 조건

480V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IGC70T120T8RL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 75A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IRG4RC10STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

140µJ (on), 2.58mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/630ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

6.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/400ns

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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전력-최대

310W

에너지 전환

4.8mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/170ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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