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FGB30N6S2D

FGB30N6S2D

참조 용

부품 번호 FGB30N6S2D
PNEDA 부품 번호 FGB30N6S2D
설명 IGBT 600V 45A 167W TO263AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,678
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGB30N6S2D 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGB30N6S2D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGB30N6S2D, FGB30N6S2D 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 281.66 KB)
PDFFGB30N6S2DT 데이터 시트 표지
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  • FGB30N6S2D Price
  • FGB30N6S2D Distributor

FGB30N6S2D 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)108A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
전력-최대167W
에너지 전환55µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C6ns/40ns
테스트 조건390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)46ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

전력-최대

30W

에너지 전환

100µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/42ns

테스트 조건

300V, 10A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FL

SKB15N60HSATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

27A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 15A

전력-최대

138W

에너지 전환

530µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/209ns

테스트 조건

400V, 15A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

111ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

IRGP4620DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

32A

전류-수집기 펄스 (Icm)

36A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

전력-최대

140W

에너지 전환

75µJ (on), 225µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/83ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™, GenX3™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

88A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

전력-최대

230W

에너지 전환

1.3mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/90ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

29ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268HV

HGTP7N60A4-F102

ON Semiconductor

제조업체

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시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

125W

에너지 전환

55µJ (on), 150µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

60nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/100ns

테스트 조건

390V, 7A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

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