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FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT

참조 용

부품 번호 FGB30N6S2DT
PNEDA 부품 번호 FGB30N6S2DT
설명 IGBT 600V 45A 167W TO263AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGB30N6S2DT 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGB30N6S2DT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGB30N6S2DT, FGB30N6S2DT 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 281.66 KB)
PDFFGB30N6S2DT 데이터 시트 표지
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  • FGB30N6S2DT Distributor

FGB30N6S2DT 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)108A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
전력-최대167W
에너지 전환55µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C6ns/40ns
테스트 조건390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)46ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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제조업체

IXYS

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

580A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

전력-최대

430W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

410nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUSi5-Pak™

공급자 장치 패키지

ISOPLUSi5-Pak™

IXBK75N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

580A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

전력-최대

1040W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

350nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

NGTB75N65FL2WAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

전력-최대

536W

에너지 전환

610µJ (on), 1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

310nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/157ns

테스트 조건

400V, 75A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

TO-247-4L

AFGHL40T65SPD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

267W

에너지 전환

1.16MJ (on), 270µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

36nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/35ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRGIB6B60KD116P

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

22A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

110µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/215ns

테스트 조건

400V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

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