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FGB30N6S2T

FGB30N6S2T

참조 용

부품 번호 FGB30N6S2T
PNEDA 부품 번호 FGB30N6S2T
설명 IGBT 600V 45A 167W TO263AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,302
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGB30N6S2T 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGB30N6S2T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGB30N6S2T, FGB30N6S2T 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 173.7 KB)
PDFFGB30N6S2 데이터 시트 표지
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  • FGB30N6S2T Distributor

FGB30N6S2T 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)108A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
전력-최대167W
에너지 전환55µJ (on), 110µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C6ns/40ns
테스트 조건390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

200µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/149ns

테스트 조건

400V, 20A, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IGB20N60H3ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

170W

에너지 전환

690µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/194ns

테스트 조건

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 40A

전력-최대

460W

에너지 전환

2.2mJ (on), 630µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

196nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/123ns

테스트 조건

600V, 40A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

STGB20N40LZ

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

700ns/4.3µs

테스트 조건

300V, 10A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

IRG4BC30UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

380µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/91ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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