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FGD2N40L

FGD2N40L

참조 용

부품 번호 FGD2N40L
PNEDA 부품 번호 FGD2N40L
설명 IGBT 400V 7A 29W DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,608
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 7 - 3월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGD2N40L 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGD2N40L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGD2N40L, FGD2N40L 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 224.95 KB)
PDFFGD2N40L 데이터 시트 표지
FGD2N40L 데이터 시트 페이지 2 FGD2N40L 데이터 시트 페이지 3 FGD2N40L 데이터 시트 페이지 4 FGD2N40L 데이터 시트 페이지 5 FGD2N40L 데이터 시트 페이지 6

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FGD2N40L 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
전류-수집기 (Ic) (최대)7A
전류-수집기 펄스 (Icm)29A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.6V @ 2.4V, 2.5A
전력-최대29W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지11nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C47ns/650ns
테스트 조건300V, 2.5A, 51Ohm, 4V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

전력-최대

375W

에너지 전환

626µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

306nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/160ns

테스트 조건

400V, 60A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

FGH60N60SFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

전력-최대

378W

에너지 전환

1.79mJ (on), 670µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

198nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/134ns

테스트 조건

400V, 60A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

47ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IKB10N60TATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 10A

전력-최대

110W

에너지 전환

430µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/215ns

테스트 조건

400V, 10A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

115ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263

APT27GA90BD15

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

79A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 14A

전력-최대

223W

에너지 전환

413µJ (on), 287µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/98ns

테스트 조건

600V, 14A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전력-최대

300W

에너지 전환

4.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/200ns

테스트 조건

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXGK)

최근 판매

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914CE2-3

914CE2-3

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76SB08ST

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