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FGD3050G2

FGD3050G2

참조 용

부품 번호 FGD3050G2
PNEDA 부품 번호 FGD3050G2
설명 IGBT 500V 27A DPAK-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,460
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGD3050G2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGD3050G2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGD3050G2, FGD3050G2 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 752.68 KB)
PDFFGD3050G2 데이터 시트 표지
FGD3050G2 데이터 시트 페이지 2 FGD3050G2 데이터 시트 페이지 3 FGD3050G2 데이터 시트 페이지 4 FGD3050G2 데이터 시트 페이지 5 FGD3050G2 데이터 시트 페이지 6 FGD3050G2 데이터 시트 페이지 7

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FGD3050G2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형-
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 32A

전력-최대

200W

에너지 전환

600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/100ns

테스트 조건

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

전력-최대

48W

에너지 전환

270µJ (on), 230µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/68ns

테스트 조건

400V, 15A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

30ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

NGTB40N120S3WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 40A

전력-최대

454W

에너지 전환

2.2mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

212nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/145ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

163ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

RGTV00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전력-최대

94W

에너지 전환

1.17mJ (on), 940µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/142ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

102ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

IRGP50B60PDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

전력-최대

370W

에너지 전환

360µJ (on), 380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

240nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/130ns

테스트 조건

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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CNY17-4X007

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IRF9321TRPBF

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