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FGD3N60LSDTM-T

FGD3N60LSDTM-T

참조 용

부품 번호 FGD3N60LSDTM-T
PNEDA 부품 번호 FGD3N60LSDTM-T
설명 INTEGRATED CIRCUIT
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGD3N60LSDTM-T 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGD3N60LSDTM-T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGD3N60LSDTM-T, FGD3N60LSDTM-T 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 886.28 KB)
PDFFGD3N60LSDTM-T 데이터 시트 표지
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FGD3N60LSDTM-T 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전류-수집기 펄스 (Icm)25A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.5V @ 10V, 3A
전력-최대40W
에너지 전환250µJ (on), 1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지12.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/600ns
테스트 조건480V, 3A, 470Ohm, 10V
역 복구 시간 (trr)234ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252, (D-Pak)

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제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

310A

전류-수집기 펄스 (Icm)

840A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 140A

전력-최대

1630W

에너지 전환

4.3mJ (on), 4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

330nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/145ns

테스트 조건

450V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

RJH60T04DPQ-A1#T0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

전력-최대

208.3W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

54ns/136ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247A

IXBF50N360

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

420A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

전력-최대

290W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/205ns

테스트 조건

960V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

RGT16BM65DTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

전력-최대

94W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/33ns

테스트 조건

400V, 8A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252

IRGP4086PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.96V @ 15V, 120A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/112ns

테스트 조건

196V, 25A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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