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FGH30S150P

FGH30S150P

참조 용

부품 번호 FGH30S150P
PNEDA 부품 번호 FGH30S150P
설명 IGBT 1500V 60A TO-247
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $39.3979
100 ---------- $37.5511
250 ---------- $35.7043
500 ---------- $33.8576
750 ---------- $32.3186
1,000 ---------- $30.7796
재고 있음 2,802
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예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH30S150P 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH30S150P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • FGH30S150P Distributor

FGH30S150P 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1500V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
전력-최대500W
에너지 전환1.16mJ (on), 900µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지369nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C32ns/492ns
테스트 조건600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

관심을 가질만한 제품

IRG4RC10UTR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

34A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

80µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/116ns

테스트 조건

480V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

RGS60TS65HRC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

전력-최대

223W

에너지 전환

660µJ (on), 810µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

36nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/104ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

450A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.4mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/152ns

테스트 조건

480V, 50A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

IRG4IBC30S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

68A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

전력-최대

45W

에너지 전환

260µJ (on), 3.45mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/540ns

테스트 조건

480V, 18A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

전력-최대

274W

에너지 전환

1.23mJ (on), 550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/127ns

테스트 조건

400V, 50A, 8.2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

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SMBJ36CA-13-F

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TVS DIODE 36V 58.1V SMB