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FGH40N60SMDF

FGH40N60SMDF

참조 용

부품 번호 FGH40N60SMDF
PNEDA 부품 번호 FGH40N60SMDF
설명 IGBT 600V 80A 349W TO247
제조업체 ON Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 26 - 5월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH40N60SMDF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH40N60SMDF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH40N60SMDF, FGH40N60SMDF 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 334.6 KB)
PDFFGH40N60SMDF 데이터 시트 표지
FGH40N60SMDF 데이터 시트 페이지 2 FGH40N60SMDF 데이터 시트 페이지 3 FGH40N60SMDF 데이터 시트 페이지 4 FGH40N60SMDF 데이터 시트 페이지 5 FGH40N60SMDF 데이터 시트 페이지 6 FGH40N60SMDF 데이터 시트 페이지 7 FGH40N60SMDF 데이터 시트 페이지 8 FGH40N60SMDF 데이터 시트 페이지 9

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FGH40N60SMDF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
전력-최대349W
에너지 전환1.3mJ (on), 260µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지119nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/92ns
테스트 조건400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)90ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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STMicroelectronics

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

55µJ (on), 85µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/72ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

SGD06N60BUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 6A

전력-최대

68W

에너지 전환

215µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/220ns

테스트 조건

400V, 6A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 42A

전력-최대

223W

에너지 전환

120µJ (on), 150µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

76nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/113ns

테스트 조건

200V, 21A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

IRG4PH40UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

82A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 21A

전력-최대

160W

에너지 전환

1.04mJ (on), 3.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

86nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/220ns

테스트 조건

960V, 21A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IRG4BC30F-S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

230µJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/200ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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