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FGH40T100SMD

FGH40T100SMD

참조 용

부품 번호 FGH40T100SMD
PNEDA 부품 번호 FGH40T100SMD
설명 IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 13,200
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH40T100SMD 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH40T100SMD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH40T100SMD, FGH40T100SMD 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,976.85 KB)
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FGH40T100SMD 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1000V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A
전력-최대333W
에너지 전환2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지265nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C29ns/285ns
테스트 조건600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)78ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

전류-수집기 (Ic) (최대)

104A

전류-수집기 펄스 (Icm)

208A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

330W

에너지 전환

45µJ (on), 125µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/120ns

테스트 조건

180V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IRG4BC20FD-STRR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

250µJ (on), 640µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/240ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG6I320UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 24A

전력-최대

39W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/89ns

테스트 조건

196V, 12A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IXBH2N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

13A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

전력-최대

32W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

10.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

920ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

238W

에너지 전환

1.37mJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16.8ns/54.4ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

101ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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