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FGH40T120SMD-F155

FGH40T120SMD-F155

참조 용

부품 번호 FGH40T120SMD-F155
PNEDA 부품 번호 FGH40T120SMD-F155
설명 IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH40T120SMD-F155 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH40T120SMD-F155
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH40T120SMD-F155, FGH40T120SMD-F155 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 591.53 KB)
PDFFGH40T120SMD 데이터 시트 표지
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FGH40T120SMD-F155 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
전력-최대555W
에너지 전환2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지370nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/475ns
테스트 조건600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)65ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

88µJ (on), 107µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

16nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/34ns

테스트 조건

300V, 5A, 40Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

RJH65T47DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

전력-최대

375W

에너지 전환

520µJ (on), 560µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

127nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/190ns

테스트 조건

400V, 45A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247A

제조업체

IXYS

시리즈

Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 15A

전력-최대

150W

에너지 전환

850µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

73nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/150ns

테스트 조건

960V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGB19NC60KT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 12A

전력-최대

125W

에너지 전환

165µJ (on), 255µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/105ns

테스트 조건

480V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 39A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.5mJ (on), 2.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

55ns/240ns

테스트 조건

480V, 39A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

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