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FGH40T65SPD-F085

FGH40T65SPD-F085

참조 용

부품 번호 FGH40T65SPD-F085
PNEDA 부품 번호 FGH40T65SPD-F085
설명 AUTOMOTIVE 650V FS GEN3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 23 - 4월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH40T65SPD-F085 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH40T65SPD-F085
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH40T65SPD-F085, FGH40T65SPD-F085 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 646.85 KB)
PDFFGH40T65SPD-F085 데이터 시트 표지
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FGH40T65SPD-F085 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
전력-최대267W
에너지 전환1.16MJ (on), 270µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지36nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18ns/35ns
테스트 조건400V, 40A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.75mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

69nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/180ns

테스트 조건

960V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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TO-263 (IXGA)

IRGPC40FD2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

49A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

440A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 70A

전력-최대

695W

에너지 전환

1.9mJ (on), 2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

143nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/120ns

테스트 조건

360V, 70A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA Variation

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXXK)

GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

35A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

전력-최대

-

에너지 전환

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

800V, 35A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

36ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AB

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

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105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 35A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

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-

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