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FGH60T65SQD-F155

FGH60T65SQD-F155

참조 용

부품 번호 FGH60T65SQD-F155
PNEDA 부품 번호 FGH60T65SQD-F155
설명 650V 60A FS4 TRENCH IGBT
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH60T65SQD-F155 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH60T65SQD-F155
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH60T65SQD-F155, FGH60T65SQD-F155 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 553.42 KB)
PDFFGH60T65SQD-F155 데이터 시트 표지
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FGH60T65SQD-F155 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 60A
전력-최대333W
에너지 전환227µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20.8ns/102ns
테스트 조건400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)34.6ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 20A

전력-최대

219W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT50GP60LDLG

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

190A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전력-최대

625W

에너지 전환

456µJ (on), 635µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/85ns

테스트 조건

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

NGB15N41ACLT4G

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제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

440V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 4V, 10A

전력-최대

107W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/4µs

테스트 조건

300V, 6.5A, 1kOhm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG7PH42UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

320W

에너지 전환

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

157nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/229ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

153ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

HGTD7N60C3S9A

ON Semiconductor

제조업체

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시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

전력-최대

60W

에너지 전환

165µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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