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FGH75T65SQDNL4

FGH75T65SQDNL4

참조 용

부품 번호 FGH75T65SQDNL4
PNEDA 부품 번호 FGH75T65SQDNL4
설명 650V/75 FAST IGBT FSIII T
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $79.1709
50 ---------- $75.4598
100 ---------- $71.7487
200 ---------- $68.0375
400 ---------- $64.9449
500 ---------- $61.8523
재고 있음 1,241
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FGH75T65SQDNL4 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH75T65SQDNL4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH75T65SQDNL4, FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 430.14 KB)
PDFFGH75T65SQDNL4 데이터 시트 표지
FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 페이지 2 FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 페이지 3 FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 페이지 4 FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 페이지 5 FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 페이지 6 FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 페이지 7 FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 페이지 8 FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 페이지 9 FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 페이지 10 FGH75T65SQDNL4 데이터 시트 페이지 11

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FGH75T65SQDNL4 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)200A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
전력-최대375W
에너지 전환1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지152nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C44ns/208ns
테스트 조건400V, 75A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)134ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-4
공급자 장치 패키지TO-247-4L

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

전력-최대

500W

에너지 전환

3.1mJ (on), 2.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/328ns

테스트 조건

600V, 40A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3-46

FGH40T65SH-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

268W

에너지 전환

1.01mJ (on), 297µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19.2ns/65.6ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

IXGF32N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

44A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 32A

전력-최대

200W

에너지 전환

10.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

146nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/270ns

테스트 조건

1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

SKP02N60XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

전력-최대

30W

에너지 전환

64µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

14nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/259ns

테스트 조건

400V, 2A, 118Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

IRGI4060DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

23A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.72V @ 15V, 7.5A

전력-최대

37W

에너지 전환

47µJ (on), 141µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/101ns

테스트 조건

400V, 7.5A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

73ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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