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FGP20N6S2

FGP20N6S2

참조 용

부품 번호 FGP20N6S2
PNEDA 부품 번호 FGP20N6S2
설명 IGBT 600V 28A 125W TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,488
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGP20N6S2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGP20N6S2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGP20N6S2, FGP20N6S2 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 179.48 KB)
PDFFGP20N6S2 데이터 시트 표지
FGP20N6S2 데이터 시트 페이지 2 FGP20N6S2 데이터 시트 페이지 3 FGP20N6S2 데이터 시트 페이지 4 FGP20N6S2 데이터 시트 페이지 5 FGP20N6S2 데이터 시트 페이지 6 FGP20N6S2 데이터 시트 페이지 7 FGP20N6S2 데이터 시트 페이지 8

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FGP20N6S2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)28A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 7A
전력-최대125W
에너지 전환25µJ (on), 58µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C7.7ns/87ns
테스트 조건390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 30A

전력-최대

430W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

88nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

960V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

TO-247HV

IM818SCCXKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

36-DIP Module, 24 Leads

공급자 장치 패키지

DIP 36x23D

SGS6N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 3A

전력-최대

22W

에너지 전환

57µJ (on), 25µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/60ns

테스트 조건

300V, 3A, 80Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

APT54GA60B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

96A

전류-수집기 펄스 (Icm)

161A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

전력-최대

416W

에너지 전환

534µJ (on), 466µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

158nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/112ns

테스트 조건

400V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

ISL9V3036D3ST

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

360V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

17nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/4.8µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

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장착 유형

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