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FIO50-12BD

FIO50-12BD

참조 용

부품 번호 FIO50-12BD
PNEDA 부품 번호 FIO50-12BD
설명 IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,016
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 12 - 2월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FIO50-12BD 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FIO50-12BD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FIO50-12BD, FIO50-12BD 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 163.67 KB)
PDFFIO50-12BD 데이터 시트 표지
FIO50-12BD 데이터 시트 페이지 2 FIO50-12BD 데이터 시트 페이지 3 FIO50-12BD 데이터 시트 페이지 4

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FIO50-12BD 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 30A
전력-최대200W
에너지 전환4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지150nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건600V, 30A, 39Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)150ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지ISOPLUS i4-PAC™

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IXYS

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

88A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

전력-최대

230W

에너지 전환

1.3mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/90ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

29ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268HV

IRG4RC10SDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

IRG6S330UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 70A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

86nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/120ns

테스트 조건

196V, 25A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

RGTH50TS65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전력-최대

174W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/94ns

테스트 조건

400V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

APT25GR120BSCD10

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

전력-최대

521W

에너지 전환

434µJ (on), 466µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

203nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/122ns

테스트 조건

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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