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FJN3311RTA

FJN3311RTA

참조 용

부품 번호 FJN3311RTA
PNEDA 부품 번호 FJN3311RTA
설명 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 30 - 10월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FJN3311RTA 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FJN3311RTA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
FJN3311RTA, FJN3311RTA 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 26.45 KB)
PDFFJN3311RBU 데이터 시트 표지
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FJN3311RTA 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
저항-베이스 (R1)22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
주파수-전환250MHz
전력-최대300mW
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

관심을 가질만한 제품

BCR 135T E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

150MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

PG-SC-75

FJN4312RBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MUN2214T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

230mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SC-59

DRC5143T0L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-85

공급자 장치 패키지

SMini3-F2-B

DTC643TUT106

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

820 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

150MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

UMT3

최근 판매

K1300E70

K1300E70

Littelfuse

SIDAC 120-138V 1A TO92

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AD8109ASTZ

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LTST-C150CKT

LTST-C150CKT

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LED RED CLEAR 1206 SMD

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SS34-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB

TPSC107M016R0200

TPSC107M016R0200

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312

MT29F4G01AAADDHC:D

MT29F4G01AAADDHC:D

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

APE30024

APE30024

Panasonic Electric Works

RELAY GEN PURPOSE SPDT 6A 24V

R5F21335CNFP#30

R5F21335CNFP#30

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 24KB FLASH 32LQFP

S2G-13-F

S2G-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

B0520LW-7-F

B0520LW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123

TAJB107M006RNJ

TAJB107M006RNJ

CAP TANT 100UF 20% 6.3V 1411