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FJNS4208RBU

FJNS4208RBU

참조 용

부품 번호 FJNS4208RBU
PNEDA 부품 번호 FJNS4208RBU
설명 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,028
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FJNS4208RBU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FJNS4208RBU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
FJNS4208RBU, FJNS4208RBU 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 36.54 KB)
PDFFJNS4208RBU 데이터 시트 표지
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FJNS4208RBU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
주파수-전환200MHz
전력-최대300mW
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지TO-92S

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

1 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

202mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70-3 (SOT323)

PDTC124TT,215

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

DTB543EMT2L

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

115 @ 100mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

260MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

VMT3

FJY3008R

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

공급자 장치 패키지

SOT-523F

DDTC122LE-7

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

220 Ohms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-523

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