FJP3307DH2TU
참조 용
| 부품 번호 | FJP3307DH2TU |
| PNEDA 부품 번호 | FJP3307DH2TU |
| 설명 | TRANS NPN 400V 8A TO220 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,752 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FJP3307DH2TU 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FJP3307DH2TU |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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FJP3307DH2TU 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 8A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 400V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 3V @ 2A, 8A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 26 @ 2A, 5V |
| 전력-최대 | 80W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 6V 전력-최대 100mW 주파수-전환 180MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-623F 공급자 장치 패키지 SOT-623F |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 500mA, 1V 전력-최대 36W 주파수-전환 3MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지 TO-126-3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V 전력-최대 2W 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220NIS |
