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FK4B01120L1

FK4B01120L1

참조 용

부품 번호 FK4B01120L1
PNEDA 부품 번호 FK4B01120L1
설명 CSP SINGLE N-CHANNEL MOSFET
제조업체 Panasonic Electronic Components
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FK4B01120L1 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FK4B01120L1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FK4B01120L1, FK4B01120L1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 321.71 KB)
PDFFK4B01120L1 데이터 시트 표지
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  • FK4B01120L1 Distributor

FK4B01120L1 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 394µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds490pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)370mW (Ta)
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지ULGA004-W-1010-RA01
패키지 / 케이스4-XFLGA, CSP

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

595pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

56W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

568mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

STP18N60M2

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

791pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

IXTA36N30P

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제조업체

IXYS

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXTA)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF6614

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.7A (Ta), 55A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2560pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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