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FL6L52010L

FL6L52010L

참조 용

부품 번호 FL6L52010L
PNEDA 부품 번호 FL6L52010L
설명 MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
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예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FL6L52010L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FL6L52010L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FL6L52010L, FL6L52010L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 288.26 KB)
PDFFL6L52010L 데이터 시트 표지
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FL6L52010L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8 V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs120mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds300pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)540mW (Ta)
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지WSSMini6-F1
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads

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600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

IRFSL7530PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®, StrongIRFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

195A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

411nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13703pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

375W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-262

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SIS443DN-T1-GE3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

135nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4370pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

FQD12N20LTM-F085P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1080pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 55W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4050pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Ta)

작동 온도

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