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FM21L16-60-TG

FM21L16-60-TG

참조 용

부품 번호 FM21L16-60-TG
PNEDA 부품 번호 FM21L16-60-TG
설명 IC FRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 641
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FM21L16-60-TG 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FM21L16-60-TG
분류반도체메모리 IC기억

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FM21L16-60-TG 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈F-RAM™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FRAM
기술FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지110ns
접근 시간110ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

관심을 가질만한 제품

MT53D8DBNZ-DC

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IDT6116SA45SOI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

24-SOIC

RM24C64C-LCSI-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

Mavriq™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

CBRAM®

기술

CBRAM

메모리 크기

64kb (32B Page Size)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs, 1.2ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

6-WLCSP

CAT28C256G12

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.43x13.97)

CY7C1443KV33-133AXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

36Mb (2M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

최근 판매

4608X-102-682LF

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FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

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CMC 560UH 20A 2LN TH

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CER RES 800.0000KHZ T/H

PBRC4.00HR50X000

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XTAL OSC TCXO 40.0000MHZ SNWV