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FM23MLD16-60-BG

FM23MLD16-60-BG

참조 용

부품 번호 FM23MLD16-60-BG
PNEDA 부품 번호 FM23MLD16-60-BG
설명 IC FRAM 8M PARALLEL 48FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,424
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FM23MLD16-60-BG 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FM23MLD16-60-BG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
FM23MLD16-60-BG, FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 215.01 KB)
PDFFM23MLD16-60-BG 데이터 시트 표지
FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 페이지 2 FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 페이지 3 FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 페이지 4 FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 페이지 5 FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 페이지 6 FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 페이지 7 FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 페이지 8 FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 페이지 9 FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 페이지 10 FM23MLD16-60-BG 데이터 시트 페이지 11

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FM23MLD16-60-BG 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈F-RAM™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FRAM
기술FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지115ns
접근 시간115ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFBGA
공급자 장치 패키지48-FBGA (6x8)

관심을 가질만한 제품

S29GL128S10FHIV10

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

7024S25JI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (4K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

84-PLCC (29.21x29.21)

71342SA35JI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

52-PLCC (19.13x19.13)

MT41K256M16HA-107G:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (9x14)

S25FL064LABNFN043

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-L

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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