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FM24W256-EGTR

FM24W256-EGTR

참조 용

부품 번호 FM24W256-EGTR
PNEDA 부품 번호 FM24W256-EGTR
설명 IC F-RAM 256KBIT 8SOIC
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,906
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FM24W256-EGTR 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FM24W256-EGTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
FM24W256-EGTR, FM24W256-EGTR 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 1,043.93 KB)
PDFFM24W256-EG 데이터 시트 표지
FM24W256-EG 데이터 시트 페이지 2 FM24W256-EG 데이터 시트 페이지 3 FM24W256-EG 데이터 시트 페이지 4 FM24W256-EG 데이터 시트 페이지 5 FM24W256-EG 데이터 시트 페이지 6 FM24W256-EG 데이터 시트 페이지 7 FM24W256-EG 데이터 시트 페이지 8 FM24W256-EG 데이터 시트 페이지 9 FM24W256-EG 데이터 시트 페이지 10 FM24W256-EG 데이터 시트 페이지 11

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  • FM24W256-EGTR Distributor

FM24W256-EGTR 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Micron Technology Inc.

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기술

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메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

TC58BVG2S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

시리즈

Benand™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

CY7C2270XV18-633BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II+

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

633MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

EMFP112A3PB-DV-F-R TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

7015L25G

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

72Kb (8K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

68-BPGA

공급자 장치 패키지

68-PGA (29.46x29.46)

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